内存设置与内存性能关系的探究

对于一个典型的主板BIOS设置程序来看，基本上都提供了关于内存延迟方面的设置，而这个设置在一定程度上会影响到整个系统的内存性能，当然也可以影响到系统的整体效率。从理论上来看内存延迟的时间越短，那么就越容易完全发挥内存的性能，但是很多用户并不知道如何来设置内存选项才是最合适的，并且也并不知道哪种设置是相对稳定的，今天我们就一起来试验一下，我们使用PC2700 DDR内存几乎吧所有内存设置都测试了一遍，并且做出了一定的分析，最后给出一定的结果，希望可以给大家带来帮助。

测试方法：

主板我们使用了Soyo（梅捷）的SY-P4X400主板，这种主板的BIOS中具有丰富的内存设置选项，所有选现大概有10种以上。测试的软件主要使用了Sisoft Sandra的内存测试项来进行测试，软件版本为2003 v9.41(SP1)。当然这种测试也存在测试误差，因此我们基本上把每种测试都运行几次，然后取平均值。

从BIOS的的选项来看，我们一共可以提供4,608种不同的测试，但这种测试是在是太耗费时间和精力了，因此我们把一些平时很少使用的内存设置项剔除掉，最终得到289种不同的设置模式。

从实际的选项来看我们主要分别调节了内存的速度(100, 133, 166), CAS延迟(3.0, 2.5, 2.0, 1.5),Bank Interleave(关闭,2 Bank,4 Bank)这些主要的内存设置项，同时也测试了一些很少用的设置：(Trp,Tras,Trcd,DRAM Command Rate,DRAM Burst Length,Write Recovery Time,以及DRAM Access Time)。

由于对于内存来说Trp速度一般都是设置在2T上的，但3T有的时候也会有人设置，最终我们给出了36组3T下的结果，另外还有252组数据给予Trp＝2T设置下的。

测试内存:

测试的时候我们选择了Crucial两条128MB PC2700内存，这种内存的详细规格是：

注意，我们测试的公正性，实际使用内存的时候我们并没有增加电压来提供更高的内存稳定性。

测试配置:

Intel P4 2.4Ghz处理器,400Mhz FSB, 512K L2 Cache
Soyo SY-P4X400 Dragon Ultra Platinum主板
ATi Radeon AIW显示卡
Crucial 256 MB PC2700 DDR内存 **
** Maxtor DiamondMax Plus 60GB D740X硬盘
Windows XP Professional Service Pack 1操作系统

测试结果:

解释：

DNP - Did not post（无法通过自检）
DNF - Did not finish（无法完成）
DNB - Did not boot（无法启动）

初步结论：

• 各种设置下实际内存性能差别不算太大（内存速度调节除外）
• 从实际的内存带宽来看，最低的速度为1333MB/s，最高速度则为2303MB/s，它们之间相差73%(970MB/sec)

详细分析 :

内存时钟频率:

内存时钟频率是我们平时用的最多的内存设置了，基本上更高的时钟频率可以带来更高的内存效率：

CAS:

CAS Latency（Column Address Strobe Latency行地址控制器延迟）就是内存纵向地址脉冲的反应时间，它的设置直接关系到内存读取数据的延迟，设置数值越小内存的效率越高。一般来说内存可以设置的延迟为2T或者3T，但一些新的主板也提供了1.5T这种选项，那么我们就来看看CAS延迟对内存的影响：

从测试来看CAS对内存带宽的影响并不大，因此在内存设置中我们并不需要对CAS Latency项太在意。

Bank Interleave:

Bank是内存中一个非常重要的存储单元，对于内存来说寻址的时候行（Row）和列（Column）所制定的范围就是内存的逻辑Bank（Logical BANK），简单的说Bank就是内存同北桥芯片之间数据交换的通道。Bank Interleave则是内存Bank交错的功能,这种功能可以大大提升内存预读取的效率。

从Bank Interleave的设置来看其最高可以提高40-50MB/s的内存带宽，因此这应该算是一个比较影响内存性能的选项了，不过对于不同内存工作频率来说这个提升幅度是不同的，在100Mhz频率下可以提供4％的效率，但是如果频率在166Mhz下，提升的效率仅为1％。

Precharge to Active (tRP):

Precharge to Actives就是内存激活（预充电）的时间， Precharge指令一般用于同一个Bank间的不同的行之间的数据读取。Precharge指令到下一个Active命令之间的时间价格叫做tRP。需要注意的是部分预充电时间同上一次的数据传输时间是有重叠的。随着CAS延迟时间的延长，预充电时间同上次读取操作数据输出的重叠时间就越多。

tRP设置其实同内存工作频率有很大关系，当100Mhz外频下其可以提升10MB/s的带宽，而在166Mhz频率下则可以提升20MB/的带宽。

Active to Precharge (tRAS):

Active to Precharge正好同Precharge to Active是一个相反的过程，它的时间也会在一定程度上影响系统性能。

不过同tRP相比，它的设置最终对系统性能影响并不大。

Active to CMD (tRCD):

tRCD是RAS到CAS的延迟，其实就是从开始执行Active命令到执行内存实际读取或者写入命令时的时间差。

对于tRCD设置来说，内存工作频率越高其效率也会有一定提升，因此在使用高频内存的时候tRCD可以设置相对较高的项。

DRAM Command Rate(self-abbreviated DRC):

DRAM Command Rate设置对内存性能影响比较大，无论在何种内存模式下把速度设置为1T都可以提升30MB/s左右的内存带宽。

DRAM Burst Length (self-abbreviated DBL):

DRAM爆发传输一般对于连续的数据存取有一定的影响，但是实际上来看这种设置实际的提升效率并不高。